【經濟日報】鴻鎵科技取得NTT-AT技轉矽氮化鎵材料產製技術

台灣鴻鎵科技21日與日本NTT-AT公司簽訂專屬合作契約，日本NTT-AT公司技術轉移為矽氮化鎵磊晶技術及量產製程設備，以矽氮化鎵GaN材料應用製造出各式功率元件，這對鴻鎵科技應用矽氮化鎵製成磊晶片及功率元件的領先製程技術可說是如虎添翼，此次合作是雙方長期策略合作的開端，預期未來有更多合作項目。
簽約典禮除雙方最高層級的董事長、社長外，經濟部工業局長呂正華、投審會、日台交流協會、台日關係協會、台灣風能協會等官員、代表均出席見證此重要締約典禮。

鴻鎵科技雖是今年成立新公司，但其主要技術團隊來自前廣鎵光電LED磊晶片及晶粒製造團隊。鴻鎵科技董事長顏宗賢表示，矽氮化鎵材料是半導體關鍵材料，其製成的功率元件，有體積小、功率高的特點，鴻鎵取得NTT-AT授予的關鍵技術，會與合作的上中下游伙伴業者，如何應用矽氮化鎵材料的全新技術，製造出更節能省電、高功高頻的各式變壓應用元件，在廣泛的AI智慧機械人、電信5G基地台、智能家電、電動車等範圍使用，發展前景非常看好，目前應用元件之功率耐壓伏特數從650V開始，將擴展至750V、900V與1,000V。

來台簽約的日本NTT-AT公司本部長界義久表示，矽氮化鎵材料體積小的優勢，將使應用的終端產品體積更小，以及節省裝置的空間，耐高溫、耐高壓的特點也是最佳應用解決方案，另外還有重量輕，應用在電池上，可提升電池續航力。

很多應用矽氮化鎵材料的相關業者也出席此重要台日合作盛會，預計很快就會產生改變與新商機，為台灣電子科技產業注入活水。

【經濟日報】【記者孫震宇報導】

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