鴻鎵科技磊晶及抗靜電鍍膜技術 搶攻AI商機

2024年被視為AI元年，隨著高效能運算伺服器需求激增，鴻鎵科技的磊晶及抗靜電鍍膜技術正搶攻這股AI熱潮；其中，6吋及8吋AI伺服器相關GaN功率元件技術，預計2024年底取得認證，全面進軍AI運算市場。
AI運算對效能要求極高，伺服器電路板空間極為寶貴，因此尺寸小但效率優異的氮化鎵（GaN）功率元件成為關鍵。值得關注的是，業界先驅英飛凌及瑞薩公司紛紛收購GaN系統公司，將GaN功率元件導入高端AI伺服器生產。憑藉多年磊晶技術研發經驗，鴻鎵科技強調已做好準備，期待在AI運算市場大放異彩。

除GaN功率元件外，鴻鎵獨家開發出耐300度高溫、耐磨達350公尺的抗靜電鍍膜（CAC）技術，不僅已通過SGS認證，更在全球知名半導體大廠測試AI製程治具應用中展現出色表現，有望大幅降低成本達50％，遠勝現有技術。

鴻鎵科技透露，目前半導體製程對抗靜電需求急迫，AI運算、電動車及低軌衛星等高精密領域，若昂貴晶片遭受靜電影響將損失慘重；CAC技術可提供絕佳保護，提高製程良率。

產品品質獲肯定，2023年鴻鎵65W GaN充電器銷往日本電信商NTT-AT，2024年推出台灣版手機充電器，已有多家上市櫃公司樂意將之列為股東會紀念品。鴻鎵科技正全力研發500度高溫CAC，預計明年推出，為AI、電動車及低軌衛星等高精密應用提供最佳靜電防護。

展望未來，鴻鎵科技將持續專注GaN磊晶及CAC抗靜電技術研發，緊貼AI運算及高精密產業脈動，為客戶提供最優質解決方案，全力搶攻AI熱潮所帶來的龐大商機。

文章出處：工商時報