▌GaN FET 4 大優勢
作為一家專注於科技創新的公司,鴻鎵科技致力於為客戶提供最優質的解決方案和產品。在功率半導體領域中,我們一直在關注新技術的發展和應用,並不斷投入資源進行研發和創新,從而推出更加優異的產品和解決方案。GaN FET作為一種新型的功率器件,已經顯示出了顯著的優勢,而我們的技術團隊也在這方面進行了深入的研究和應用。
在電源快充、家電、激光雷達、電動車和5G射頻等應用領域中,我們的GaN FET產品可以帶來更高的性能和更優異的使用體驗。我們的產品已經成功應用於多個客戶的產品中,得到了廣泛的認可和好評。我們將繼續不斷優化和改進我們的GaN FET產品,以滿足客戶的需求和期望。相信我們的GaN FET產品未來將會在更多的應用領域中發揮作用,成為未來高效能應用的重要組成部分。
電源快充|智能家電-高頻化
可大幅度減少終端應用產品體積並大幅提高功率轉換效率。
激光雷達-切換速度快
寄生電容小開關速度可提高10倍提高影像解析度。
資料中心|電動車-低阻抗&面積
功率密度提升2倍節能50%。
5G射頻-高頻化
較LDMOS工作頻率提高2倍以上傳輸速度快2倍以上。
▌GPT GaN FET|製造程序
6″ EPI
磊晶|MOCVD
6″ Wafer
晶圓製造|晶背研磨及金屬化點測
wafer die
切割 & 崩裂
fets
封裝
Applications
電路設計