▌GaN EPI Wafer 6 大優勢
GaN EPI Wafer是一種新型的半導體材料,由於其獨特的物理特性,被廣泛應用於高功率、高頻率和高溫度等應用領域。與傳統的半導體材料相比,GaN EPI Wafer具有更高的電子遷移率、較小的電阻和較高的熱穩定性,從而可以實現更高效的能源轉換和更可靠的性能。
我們作為一家專注於半導體技術創新的公司,一直在關注新技術的發展和應用,並投入資源進行研發和創新。我們的GaN EPI Wafer產品已經成功應用於多個高端應用領域,如激光雷達、5G基站和高功率電源等領域。
作為GaN EPI Wafer產品供應商,我們不僅提供高品質的產品,同時還為客戶提供完整的解決方案,以滿足客戶的需求和期望。我們擁有專業的技術團隊和現代化的生產設備,能夠提供從研發、設計到生產和售後服務的全套解決方案,從而確保客戶的成功和產品的品質。
總之,我們的GaN EPI Wafer產品在半導體技術領域中已經得到了廣泛的應用和認可。我們將繼續不斷優化和改進我們的產品和解決方案,以滿足客戶的需求和期望,並為客戶提供更加優質的產品和服務。
技術
從 NTT-AT 獲得應用於電源相關產品的最先進 6” 和 8”GaN on Si 的全球獨家專利授權。
專利
智財權由NTT AT全力支持。
研發
NTT AT 在有著2,000名工程人員的NTT 實驗室的支持下,不斷地進行研發工作。必要時,研發結果也會授權給 GPT。
生產製造
GPT在台灣製造。
市場行銷
NTT AT 將積極向 NTT、日本和全球市場銷售使用其技術的產品。
其他相關技術
- 應用於微波/毫米波相關產品的GaN on Si 和 GaN on SiC。
- GaN on GaN EPI。
- GaN on 藍寶石 EPI。